PENINGKATAN KUALITAS FILM TIPIS CdTe SEBAGAI ABSORBER SEL SURYA DENGAN MENGGUNAKAN DOPING TEMBAGA (Cu) - Marwoto, P.; Darmaputra, N.M.; -, Sugianto; Othaman, Z.; Wibowo, E.; Astuti, S.Y. (Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia, 2012)
Film tipis CdTe dengan doping tembaga (Cu) berkonsenterasi 2% telah berhasil ditumbuhkan di atas substrat Indium Tin Oxide (ITO) dengan metode dc magnetron sputtering. Penelitian ini dilakukan untuk mengetahui pengaruh doping Cu(2%) terhadap struktur morfologi, struktur kristal, fotoluminisensi dan resistivitas listrik film CdTe. Citra morfologi Scanning Electron Microscopy (SEM) dan hasil analisis struktur dengan X-Ray Diffraction (XRD) menunjukkan bahwa film CdTe:Cu(2%) mempunyai citra permukaan dan struktur kristal yang lebih sempurna dibandingkan film CdTe tanpa doping. Hasil analisis spektrometer fotoluminisensi menunjukkan bahwa film CdTe dan CdTe(2%) mempunyai puncak fotoluminisensi pada tiga panjang gelombang yang identik yaitu 685 nm (1,81 eV), 725 nm (1,71 eV) dan 740 nm (1,67 eV). Film CdTe dengan doping Cu(2%) memiliki intensitas puncak fotoluminisensi yang lebih tajam pada pita energi 1,81 eV dibandingkan dengan film CdTe tanpa doping. Pengukuran arus dan tegangan (I-V) menunjukkan bahwa pemberian doping Cu(2%) dapat menurunkan resistivitas film dari 8,40x109 ÃÂ©cm menjadi 6,92x105 ÃÂ©cm. Sebagai absorber sel surya, kualitas film tipis CdTe telah berhasil ditingkatkan dengan pemberian doping Cu(2%).CdTe:Cu(2%) thin film has been successfully grown on Indium Tin Oxide (ITO) substrates by using dc magnetron sputtering. This study was carried out in order to investigate the effect of Cu(2%) doping on the morphologycal structure, crystal structure, photoluminesence, and resistivity of CdTe thin film. Scanning Electron Microscopy (SEM) ÃÂ images and X-Ray Diffraction (XRD) results showed that CdTe:Cu(2%) thin film has morphologycal and crystal structures more perfect than undoped CdTe film. Photoluminesence spectroscopy results showed that CdTe and CdTe:Cu(2%) thin films have luminesence peak at three identical wevelength regions i.e. 685 nm (1.81 eV), 725 nm (1.71 eV) and 740 nm (1.67 eV) however CdTe:Cu(2%) film shows sharper photoluminescence peak at band energy of 1.81 eV. Current-Voltage (I-V) measurement showed that the presenting of Cu doping on CdTe film configuration could decrease its electrical resistivity from 8.40x109 ÃÂ©cm to 6.92x105 ÃÂ©cm. Indeed, as absorber layer of solar cell, the performance of CdTe thin film has been succsesfully improved by using Cu(2%) as doping.