PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-Si:H:B) - Bambang Siswanto; Wirjoadi Wirjoadi; Sudjatmoko Sudjatmoko (GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir, 2005)
PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-Si:H:B). Telah dilakukan deposisibahan Si:B pada permukaan substrat kaca dengan teknik plasma sputtering DC. Deposisi dilakukan untuk beberapaparameter proses yang meliputi: waktu deposisi, tekanan gas dan suhu substrat dengan tujuan dapat diperolehlapisan tipis (a-Si:H:B) yang mempunyai konduktivitas yang memadai sebagai bahan sel surya. Target adalahbahan silikon yang telah dicampur boron dengan konsentrasi (0,1; 0,3; 0,5; 0,7) % berat. Variasi waktu deposisiadalah (0,5 - 2) jam, tekanan gas (1,1 ´ 10-1 - 1,4 ´ 10-1) Torr dan suhu substrat (150–300) oC, sedangkan gasreaktif hidrogen selama proses deposisi dibuat tetap sebesar 4 sccm. Pengukuran sifat listrik dilakukan denganprobe empat titik, konduktivitas dihitung dengan pendekatan rumus matematik. Hasil penelitian menunjukkan bahwaresistansi terkecil sebesar R = 2,73 ´ 108 W, ini diperoleh pada kondisi percobaan, waktu deposisi 1,5 jam, tekanangas 1,4 ´ 10-1 Torr dan suhu substrat 200 oC. Dengan demikian dapat disimpulkan bahwa parameter proses di atasmerupakan parameter deposisi yang optimum untuk pembuatan lapisan tipis (a-Si:H:B).