PEMBUATAN DAN KARAKTERISASI FILM Ba0,5Sr0,5TiO3 DOPING Ga2O3 (BGST) - T. Sumardi; P. W. K. Anggraini; M. Hikam; Irzaman Irzaman (Jurnal Sains Materi Indonesia, 2006)
PEMBUATAN DAN KARAKTERISASI FILM Ba0,5Sr0,5TiO3 DOPING Ga2O3 (BGST). Film Ba0,5Sr0,5TiO3 doping Ga2O3 (BGST) telah berhasil dibuat di atas substrat Si(111) dengan proses pembuatan larutan kimia 1 M larutan BGST [(BaxSr1-xTi1-yGay) O3-y/2] dan dilanjutkan dengan spin coating pada kecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik. Karakterisasi yang dilakukan berupa strukturmikro menggunakan XRF, XRD dan SEM serta uji sifat feroelektrik. Hasil XRF menunjukkan unsur-unsur pembentuk BST telah terdeposit. Sementara hasil XRD pada substrat Si(111) didapatkan nilai parameter kisi untuk BST, BGST (1%, 2% dan 4%) berturut-turut sebesar 3,9469 Å, 3,9354 Å, 3,8617 Å dan 3,7550 Å. Adapun bidang hkl yang muncul yaitu (100) untuk sampel BST dan BGST1M1%Si serta bidang (100) dan (110) untuk sampel BGST1M2%Si dan BGST1M4%Si. Hasil analisis SEM menunjukkan bahwa permukaan film BST maupun BGST dengan variasi doping masih heterogen. Hasil uji histerisis menunjukkan adanya hubungan yang linier antara nilai polarisasi dengan nilai medan listrik yang diberikan. Nilai polarisasi spontan memiliki hubungan yang berbanding terbalik dengan nilai parameter kisi suatu bahan. Polarisasi spontan hasil perhitungan berdasarkan posisi atom diperoleh untuk BGST1M1%Si, BGST1M2%Si dan BGST1M4%Si berturut-turut : 51,6550 C/cm2, 53,6454 C/cm2 dan 56,7375 C/cm2.