FABRIKASI DETEKTOR PARTIKEL ALPHA MENGGUNAKAN SEMIKONDUKTOR SILIKON TIPE P - Gunarwan Prayitno (PRIMA - Aplikasi dan Rekayasa dalam Bidang Iptek Nuklir, 2013)
ABSTRAKFABRIKASI  DETEKTOR  PARTIKEL ALPHA  MENGGUNAKAN SEMIKONDUKTOR SILIKON TIPE P, Pada kegiatan yang lalu telah dilakukan pembuatan detektor tipe gas isian. Radiasi nuklir yang dideteksi adalah alpha,   beta,  dan gamma. Pada kegiatan kali ini dilakukan penelitian untuk membuat detektor nuklir surface barrier dengan bahan semi konduktor tipe p menggunakan lapisan tipis jendela  emas  (Au).   Metode yang dilakukan adalah dengan cara membuat dua tipe sambungan yang berbeda.  Sambungan pertama berupa lapisan doping Li ke dalam semikonduktor silikon. Tipe sambungan ke dua adalah antara LiSi dan Au.   Kedua tipe sambungan   dilakukan   dengan   metode   RF   Sputtering   dan  DC   Magnetron   Sputtering. Karakteristik detektor dilihat dari tegangan reverse bias,  forward bias,  nilai kapasitansi dan pulsa keluaran detektor.  Kemudian dilakukan pengukuran daerah sensitif detektor atau daerah aktif.   Berdasarkan  hasil pengujian  dapat  dilihat  bahwa  detektor Au-SiLi yang  dibuat  telah berhasil  dapat mengeluarkan spektrum energi partikel  alpha,   namun untuk kesempurnaan pembuatan detektor perlu dilakukan penelitian dan analisis lebih lanjutKata kunci : fabrikasi, detektor partikel alpha, semikonduktor silicon tipe p ABSTRACTFABRICATION OF ALPHA PARTICLE USED SILICON SEMICONDUCTOR TYPE P, In several years ago, nuclear radiation detector, specially gas filled detector was fabricated. It detected alpha, beta and gamma rays. Recently, the research is focusing to fabricate a surface barrier nuclear detector by using the semiconductor, specially p type coated by the gold (Au) window thin film. The method was done by developing two different types of junction.   The first junction is silicon semiconductor layer doped with Li.  The second one is junction between SiLi and Au.  Both junctions  are performed by using RF Sputtering and DC Magnetron Sputtering methods.   The  detector  is  characterized  by  evaluating  reverse  bias,   forward  bias,   the capacitance and the detector output pulse.  The sensitifity of detector field or the active detector field is then measured. Result shows that the Au-SiLi detector is success in emitting the alpha particles spectrum energy. Meanwhile, to increase the quality of the detector fabrication,  more detail research and analysis need to be performed.Key words :  fabrication,  alpha particle detector, Silicon Semiconductor tipe p