ANALISIS PERBANDINGAN KINERJA H-BRIDGE DRIVER MENGGUNAKAN IGBT DAN MOSFET PADA SISTEM KEMUDI STEER BY WIRE - Yusuf Eko Prasetyo; Fatkhur Rohman (PENA TEKNIK: Jurnal Ilmiah Ilmu-Ilmu Teknik, 2018)
Steer By Wire (SBW) adalah teknologi sistem kemudi terbaru yang menerapkan konsep independen dan full electronic control. Hal ini menyebabkan sistem SBW dapat menghasilkan pengemudian yang lebih responsive, akurat, dan aman bagi pengemudi. Sudah banyak pengembangan dan simulasi untuk membuktikan keunggulan dari sistem kemudi SBW sehingga dapat digunakan disemua kendaraan. Agar dapat merealisasikan sistem ini maka dibutuhkan driver sebagai pengendali motor DC. Saat ini terdapat dua komponen semi konduktor yang sangat populer digunakan sebagai driver yaitu Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) dan Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(MOSFET). Tujuan dari penelitian ini adalah untuk menganalisis dan membandingkan kinerja Motor DC 12V sebagai aktuator sistem SBW yang menggunakan driver IGBT dengan driver MOSFET. Metode penelitian yang digunakan adalah analisis kuantitatif komparatif yaitu dengan membandingkan kinerja motor DC 12V ketika menggunakan driver IGBT dan ketikamenggunakan driver MOSFET. Variabel bebas yang digunakan adalah kecepatan mobil listrik autron dan Beban pengemudi. Sedangkan variabel tetapnya adalah besar sudut belok roda. Hasil dari penelitian ini adalah menyatakan bahwa kinerja motor DC 12V lebih baik menggunakan driver MOSFET jika dibandingkan dengan menggunakan driver IGBT SteerByWire(SBW)adalah teknologisistem kemuditerbaruyangmenerapkankonsep independendanfullelectroniccontrol.HalinimenyebabkansistemSBWdapatmenghasilkan pengemudianyang lebih responsive,akurat,danamanbagipengemudi.Sudahbanyak pengembangandansimulasiuntuk membuktikankeunggulandarisistemkemudiSBW sehinggadapatdigunakandisemuakendaraan.Agardapatmerealisasikansistem inimaka dibutuhkan  driversebagaipengendalimotor  DC.Saatiniterdapatduakomponensemi konduktor yang sangatpopuler digunakan sebagaidriver yaitu Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)danMetalOxideSemiconductorField EffectTransistor(MOSFET). TujuandaripenelitianiniadalahuntukmenganalisisdanmembandingkankinerjaMotorDC 12VsebagaiaktuatorsistemSBW yang menggunakandriverIGBTdengandriverMOSFET. Metode  penelitian  yang  digunakan  adalah  analisis  kuantitatif  komparatif  yaitu  dengan membandingkankinerja  motor  DC  12V  ketika  menggunakan  driver  IGBT  dan  ketika menggunakandriverMOSFET.Variabelbebasyangdigunakanadalahkecepatanmobillistrik autrondanBebanpengemudi.Sedangkanvariabeltetapnyaadalahbesarsudutbelok roda. Hasildaripenelitian iniadalahmenyatakanbahwa kinerjamotorDC12Vlebihbaik menggunakandriverMOSFET jika dibandingkan denganmenggunakandriverIGBT