KARAKTERISASI SIFAT LISTRIK FOTODIODE p-Si / n-LiTaO3:Nb YANG DIBUAT DENGAN METODE CHEMICAL SOLUTION DEPOSITION - Muttakim, Andira; Suhandi, Andi; Hamdani, R. A. (ISSN, 2014)
Telah dibuat prototipe fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb dengan variasi pendadah Nb 0 %, 2.5 %, 5 %, dan 7.5 %. Deposisi larutan LiTaO3:Nb di atas p-Si dilakukan dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) atau Sol-Gel menggunakan teknik Spin Coating. Massa molar larutan LiTaO3:Nb adalah 1,00 M. Selanjutnya fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb dipanaskan (annealed) pada temperatur konstan sebesar 1000 Â°C selama delapan jam. Temperatur dinaikkan dari temperatur ruang hingga 1000 Â°C selama satu jam. Karakteristik I-V pada fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb diukur dengan menggunakan alat Keithley I-V meter dalam keadaan tanpa penyinaran dan dengan penyinaran untuk menentukan nilai photocurrent, breakdown voltage, dan shunt resistance. Hasil penelitian menunjukkan fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb yang dibuat masih belum bisa memenuhi karakteristik fotodiode yang telah beredar di pasaran. Nilai photocurrent, breakdown voltage, dan shunt resistance untuk fotodiode yang beredar di pasaran memiliki nilai sekitar 100 Î¼A, 50-100 V, dan 10-1000 MÎ©, sedangkan dalam penelitian ini nilai optimumnya masing-masing hanya 2.73 Î¼A, 4.95 V, dan 0.23 MÎ©. Pada fotodiode p-Si / n-LiTaO3:Nb, nilai photocurrent cenderung menurun seiring dengan penambahan konsentrasi Nb hingga 5 %, nilai photocurrent meningkat kembali ketika konsentrasi Nb ditambahkan menjadi 7.5 %. Nilai breakdown voltage pada fotodiode meningkat seiring dengan penambahan konsentrasi Nb hingga 5 %, nilai breakdown voltage menurun kembali ketika konsentrasi Nb ditambahkan menjadi 7.5 %. Nilai shunt resistance meningkat seiring dengan bertambahnya konsentrasi Nb hingga konsentrasi 7.5 %.