LASER SEMIKONDUKTOR GaAs JENIS DOUBLE HETEROJUNCTION SEBAGAI SUMBER CAHAYA DALAM KOMUNIKASI OPTIK - Samy J Litiloly; Nicolas Titahelu (ALE Proceeding, 2019)
Abstrak Telah diteliti suatu sistem junction yang tepat sebagai gelombang carrier dalam komunikasi optik. Mula-mula disampaikan asal muasal munculnya Laser Semikonduktor GaAs, kemudian struktur homojunction, khususnya uraian tentang rapat arus ambang dan daya output saat forward-bias; yang memberikan Î»output dengan profil yang tidak tajam (pelebaran 2 Î¼m) dan daya dibawah 10 mW. Setelah itu, pencampuran III-V terhadap GaAs murni, diciptakan untuk mempertajam profil laser output dan memperbesar dayanya. Struktur yang terbaik untuk keperluan ini adalah double heterojunction (DH) dengan salah satu bahan unggulannya adalah Ga1-xInxAs1-yPy. Kemudian ditunjukkan bahwa bahan ini memberikan Î»output â‰ˆ 1,55 Î¼m dan daya output diatas 10 mW dengan efisiensi operasi 70 %.