FG-FET Berbasis Film Ag2O Untuk Pendeteksian H2S - W Widanarto; Bilalodin Bilalodin; R. A. Saputro (Jurnal Otomasi Kontrol dan Instrumentasi, 2011)
Film Ag2O telah ditumbuhkan pada top electrode Si/Ti/Pt dengan evaporasi termal. Proses evaporasi dilakukan pada tekanan 2Ã—10-2 mbar dalam atmosfir oksigen sintetis. SEM digunakan untuk menganalisa struktur permukaan film. Top electrode dilekatkan pada chip FG-FET untuk membentuk sebuah sensor gas yang sensitif terhadap H2S. Karakterisasi yang meliputi uji temperatur, konsentrasi, kelembaban dan selektivitas dilakukan untuk mengetahui kehandalan sensor. Hasil karakterisasi menunjukkan bahwa FG-FET berbasis film Ag2O dapat mendeteksi H2S pada konsentrasi rendah dengan temperatur operasi optimum 95°C dalam keadaan kering maupun lembab. Penambahan klaster Fe pada permukaan film Ag2O dapat meningkatkan unjuk kerja sensor yang ditandai dengan peningkatan sinyal keluaran sensor. Keywords:FG-FET, Film Ag2O, Fe,Fungsi Kerja, H2S