STUDI AWAL PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS GAN DENGAN TEKNIK SPIN-COATING - Rusdiana, Dadi; Suhandi, Andi; Tayubi, Yuyu R. (Jurnal Pengajaran MIPA, 2004)
GaN merupakan material semikonduktor yang memiliki nilai celah pita energi (Eg ) sekitar 3,45 eV pada temperatur ruang dengan struktur transisi langsung. Keadaan ini membuat GaN sangat potensial untuk aplikasi divais optoelektronik yang beroperasi para rentang panjang gelombang UV. Dalam studi ini telah dilakukan uji penumbuhan lapisan (GaN) di atasÂ  substrat Si (100) dan Al2O3 (0001) dengan teknikÂ  sol-gel spin-coating dengan menggunakan kristal gallium-citrate-amine sebagai prekursor Ga. Teknik ini tergolong sederhana, mudah pengoperasiannya dan relative murah. Hasil karakterisasi lapisan GaN yang berhasil ditumbuhkan menunjukkan bahwa baik yang ditumbuhkan di atas substratÂ  Si (100) maupun Â Al2O3 (0001) masih memiliki struktur polikristal.Â  Kualitas morfologi lapisan GaN masih relatif rendah, dengan ketebalan rata-rata berkisar antara 1-1,5 ïm. Nilai celah pita energi lapisan GaN yang ditumbuhkan di atas Al2O3 (0001) berdasarkan hasil karakterisasi UV-Vis spectroscopy adalah sekitar 3.20 eV. Nilai ini masih sedikit lebih rendah dari nilai idealnya.