Perancangan reaktor plasma CVD untuk deposisi lapisan karbon - Mira Setiana; Djoko H Santjojo (Jurnal Teras Fisika: Teori, Modeling, dan Aplikasi Fisika, 2022)
Penggunaan plasma untuk “mengaktifkan” prekursor uap kimia (Plasma Chemical Vapor Deposition (CVD)) memungkinkan proses deposisi berlangsung pada suhu yang lebih rendah daripada proses deposisi menggunakan teknik CVD konvensional. Sistem plasma CVD telah dirancang untuk deposisi lapisan karbon di atas substrat kaca. Bagian utama dari reaktor plasma CVD ini meliputi tutup reaktor, chamber reaktor dan konfigurasi elektroda Capacitively Coupled Discharge (CCD). Chamber reaktor dibuat dari desikator, sementara elektroda dibuat dari stainless steel tipe SS 304. Tingkat vakum pada sistem ini adalah medium vakum (3,090295 Torr). Heater Catridge digunakan sebagai pemanas elektroda bagian bawah (meja sampel). Gas yang digunakan terdiri dari gas Argon sebagai carrier gas, Blue Gaz sebagai sumber karbon yang akan dideposisikan. Parameter reaktor yang dapat dikontrol adalah laju aliran gas. Perbandingan laju alir gas Argon: Blue Gaz optimal yang digunakan adalah (25: 24,2) mL/min .Plasma yang dihasilkan dari sistem ini adalah plasma glow discharge.