SIMULASI PENGARUH KONSENTRASI DOPING DAN FRAKSI MOL GERMANIUM TERHADAP BANDGAP NARROWING PADA HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR Si-Ge MENGGUNAKAN MATLA - Muhidin .; Iwan Sumirat; Fithri Muliawati (JUTEKS, 2020)
SIMULASI PENGARUH KONSENTRASI DOPING DAN FRAKSI MOL GERMANIUM TERHADAP BANDGAP NARROWING PADA HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR Si-Ge MENGGUNAKANMATLAB. HBT SiGe (Heterojunction Bipolar Transistor Silikon-Germanium) merupakan transistor yang dirancanguntuk dapat bekerja pada frekuensi tinggi. Pada HBT SiGe, kinerja transistor ini dipengaruhi oleh perbedaan bandgap antarabahan Si dan SiGe. Penyempitan bandgap (bandgap narrowing) pada SiGe (ΔEg) dipengaruhi oleh fraksi mol Ge yangditambahkan pada Si. Selain terjadi karena penambahan Ge pada Si, penyempitan bandgap bahan SiGe juga terjadi jikabahan SiGe diberi konsentrasi doping yang tinggi (heavy doping). Untuk mengetahui seberapa besar pengaruh konsentrasidoping dan fraksi mol Ge terhadap bandgap narrowing, arus dan frekuensi cut-off. Dilakukan simulasi denganmenggunakan MATLAB, dengan memvariasikan parameter konsentrasi doping basis NB = 5 x 10,konsentrasi doping emitor NE = 5 x 1018 sampai 1 x 1020, dan fraksi mol Ge (x) 0.15 sampai 0.25 terhadap model matematisyang digunakan. Hasil simulasi menunjukkan bahwa penambahan fraksi mol Ge dari 0.15 menjadi 0.25 meningkatkan ΔEgsebesar 1.4 kali, kenaikan arus kolektor sebesar 22 kali, dan menaikan frekuensi cut-off sebesar 1.12 kali. Penambahankonsentrasi doping dari 5 x 1017 sampai 5 x 10 18meningkatan ΔEg sebesar 1.6 kali, menurunkan arus kolektor sebesar 4.3 kali,dan menurunkan frekuensi cut-off sebesar 1.7 kali. Penambahan konsentrasi doping emitor dari 5 x 1018 menjadi 10 20 17 menjadi 5 x 10 18 menyebabkan meningkatnya arus kolektor sebesar 1.2 kali dan meningkatkan frekuensi cut-off sebesar 1.4 kali.