PENGARUH WAKTU ALUR PEMANASANTERHADAP KUALITAS KRISTAL Sn(S0,4Te0,6)HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN THE EFFECT OF FLOW HEATING TIME FOR CRYSTAL QUALITY Sn(S0.4Te0.6)PREPARATION PRODUCTS WITHBRIDGMAN TECHNIQUE - Erda Harum Saputri; Ariswan Ariswan (Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA), 2016)
Abstrak Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh variasi waktupemanasan terhadap struktur kristal bahan semikonduktor Sn(S0,4Te0,6) dan untuk mengetahui morfologi permukaan serta komposisi kimia pada bahan semikonduktor Sn(S0,4Te0,6).Proses penumbuhan kristal pada penelitian ini menggunakan metode Bridgman yang dilakukan dengan memanaskan bahan Sn, S dan Te dengan perbandingan molaritasnya adalah 1 : 0,4 : 0,6 dan bekerja pada tekanan 5x10-5mbar. Pemanasan bahan semikonduktor Sn(S0,4Te0,6) dilakukan dengan menggunakan waktu awal sama untuk semua Sampel yakni selama 2 jam pada suhu 300°C dan pada suhu 600°C dilakukan variasi waktu, yakni Sampel 1 dipanaskan selama 4 jam, Sampel 2 selama 5 jam dan Sampel 3 selama 6 jam. Kristal hasil preparasi kemudian dikarakterisasi menggunakan X-Ray Diffraction(XRD), Scanning Electron Microscopy(SEM)dan Energy Dispersive Analysis of X-Ray(EDAX).Hasil karakterisasi XRD yang berupa difraktogrammenunjukkan bahwa kristal bahan semikonduktor Sn(S0,4Te0,6) yang terbentuk memiliki struktur kubik, dengan parameter kisi untuk alur pemanasan Sampel 1 adalah a = 6,269 Å, alur pemanasan Sampel 2 diperoleh parameter kisi a = 6,289 Å serta untuk alur pemanasan Sampel 3, nilai parameter kisi a = 6,269 Å. Berdasarkan hasil XRD, Sampel 3 menunjukkan intensitas yang paling tinggi. Hasil karakterisasi SEM, memperlihatkan bahwa kristal yang terbentuk merupakan polikristal dan hasil EDAX diperoleh perbandingan mol Sn, S dan Te adalah 1 : 0,2 : 0,7. Kata kunci: Kristal Sn(S0,4Te0,6), Hasil Preparasi, Struktur Kristal, Karakterisasi XRD, SEM dan EDAX. Abstract The purpose of this research is to understand the effect of heating time variation oncrystal structure of semiconductor material Sn(S0.4Te0.6) and to understand surface morphology and chemical composition of semiconductor material Sn(S0.4Te0.6). The crystal growing process in this research was done using Bridgman method withSn, S and Te materials with molarity ratio of1 : 0.4 : 0.6and active on 5x10-5mbarpressure. At the beginning all Samples were heated at 300°C for 2 hours. It was then incresed to 600°C for 4 hours (Samples 1), 5 hours (Samples 2) and 6 hours (Samples 3). Crystal preparation products were then characterized using X-Ray Diffraction (XRD), Scanning Electron Microscopy (SEM) and Energy Dispersive Analysis of X-Ray (EDAX).Characterization results of XRD showed that Sn(S0.4Te0.6) semiconductor crystal structure was cubic. The lattice parameters of the flow heating sample 1 was obtained at a = 6.269 Å, flow heating at sample 2a = 6.289 Åand for the flow heating at sample 3 a = 6.269 Å. Based on XRD results, Sample 3 showed the highest intensity. The SEM results showed that the formed crystal was polycrystalin. The mole ratio of Sn, S and Te observed by EDAX was 1 : 0.2 : 0.7. Keywords: Crystal Sn(S0.4Te0.6), Preparation Products, Crystal Structure, Characterization of XRD, SEM and EDAX.