ANALISIS PENGARUH EOS DAN ESD TERHADAP KERUSAKAN KOMPONEN ELEKTRONIK SEMIKONDUKTOR UNTUK MENINGKATKAN KUALITAS PRODUKSI PT. SAMSUNG ELECTRONICS INDONESIA (SIEN) - Witanto, Yudha; Sikki, Muhammad Ilyas; Marini, Sri (JREC (Journal of Electrical and Electronics), 2015)
Kerusakan komponen elektronik semikonduktor pada PT. Samsung Electronics disebabkan olehmaterial NG (No Good) dengan kerusakan sebesar 1869 ppm atau 69% dari defek keseluruhanberdasarkan data kualitas Januari sampai dengan Desember tahun 2013. Untuk melakukan perbaikankomponen elektronik semikonduktor tersebut, dilakukan analisa EOS dan ESD dengan mengarahkan pada16 point electrostatic spec dari Global Production Technology Center. Kegiatan analisis ini dilakukanpada bulan Mei sampai dengan September 2014. Pada produksi SMD, PBA, Main Line STB dan TVHVditemukan permasalahan sebanyak 24 Point dimana pada masalah EOS sebanyak 10 point dan ESDsebanyak 14 Point yang tidak sesuai dengan spec yang ada. Dari permasalahan tersebut, dilakukanperbaikan-perbaikan dengan tujuan data kualitas mengenai masalah komponen elektronik semikonduktordapat dikurangi sebelumnya 1869 ppm pada tahun 2013 menjadi 441 ppm pada bulan September sampaidengan Desember 2014.Kata kunci : EOS , ESD, Electrostatis, Semikonduktor, Wristrap