Klem Aktif Tunggal Interleaved flyback dengan Kombinasi N-MOSFET dan P-MOSFET - Andriyatna Agung Kurniawan; Eka Firmansyah; F. Danang Wijaya (Telematika, 2018)
Penggunaan topologi interleaved flyback dengan menyusun dua atau lebih rangkaian flyback dapat mengakibatkan peningkatan dampak tegangan kejut. Dengan meningkatnya dampak tegangan kejut akan berakibat meningkatnya pula resiko kerusakan sistem akibat tegangan  kejut  tersebut.  Dalam  penelitian  ini,  diusulkan  sebuah  rangkaian  klem  aktif tunggal untuk mengatasi masalah tegangan kejut yang timbul dari dua buah flyback yang tersusun  dalam  konfigurasi interleaved.  Selain  untuk  mengatasi  tegangan  kejut  yang timbul,  pemasangan  klem  aktif  tunggal  pada  interleaved  flyback  juga  mengurangi penggunaan komponen aktif dan pasif pada sistem sehingga dapat meningkatkan efisiensi dan mengurangi biaya produksi. Penelitian ini disimulasikan pada sistem area kerja 350 W dan dari simulasi diperoleh nilai efisiensi 91.8%. Kata Kunci: flyback, interleaved, klem, kejut.