Identifikasi Gugus SiHx (x=1,2 dan 3) pada Silikon Berpori dari Substrat Si (111) Tipe-P - Anas M.; I. N. Sudiana; Jahiding M. (Jurnal Aplikasi Fisika, 2014)
Telah dilakukan identifikasi gugus fungsional SiHx (x = 1, 2, 3) pada silikon berpori Si (111) type p dengan menggunakan spektrofotometer Fourier Transform Infared (FTIR).  Sample dibuat dengan cara anodisasi wafer silikon dalam larutan asam hidroflour (HF) dengan resistivitas substrat 0,3 ohm-cm. Pengaruh konsentrasi larutan HF dan waktu anodisasi terhadap gugus fungsional permukaan silikon berpori kemudian dievaluasi. Konsentrasi larutan HF divariasikan pada 10%  , 20%, 30%,dan  40%, dan waktu anodisasi divariasikan pada 10, 20, 40, dan 60 menit untuk tiap konsentrasi. Selama proses anodisasi digunakan magnetik stirer untuk menjaga homogenitas larutan. Hasil FTIR  menunjukan gugus SiH ditemukan pada daerah serapan 2112-2100 cm-1, 920-890 cm-1 dan 856 cm-1 untuk semua konsentrasi HF. Sementara semakin lama waktu anodisasi semakin berkurang gugus SiH yang terbentuk. Mekanisme ini dapat digunakan untuk mengontrol pembentukan pori dalam wafer silikon.