Pengembangan Kemampuan Berpikir Kritis Melalui Presentasi Dan Diskusi Pada Materi Jfet, Mosfet, Dan Tiristor - Erawan Kurniadi (Prosiding SNPF (Seminar Nasional Pendidikan Fisika), 2017)
Pemahaman materi tentang Bipolar Junction Transistor (BJT) pada mata kuliah Elektronika I merupakan dasar untuk mempelajari materi JuntionField Effect Transistor (JFET), Metal-Oxide Semiconductor FET (MOSFET), dan Tiristor pada mata kuliah Elektronika II. Secara umum ketiga jenis transistor tersebut memiliki aplikasi yang hampir sama namun memiliki cara/prinsip kerja yang berbeda. Untuk mempelajari perbedaan hingga aplikasi dari transistor-transistor dan tiristor  tersebut diperlukan kemampuan berpikir yang cukup kritis. Dalam penelitian ini, dilakukan pengembangan kemampuan berpikir kritis mahasiswa melalui presentasi dan diskusi. Pengukuran terhadap kemampuan berpikir kritis dilakukan melalui pengamatan/observasi saat pembelajaran, dan tes pemahaman materi. Hasil observasi menunjukkan saat presentasi dan diskusi mahasiswa mampu mengembangkan kemampuan berpikir kritis dengan indikator menganalisis pertanyaan dan memfokuskan pertanyaan.Hasil tes pemahaman materi menunjukkan mahasiswa mampu mengembangkan kemampuan berpikir kritis dengan indikator menentukan solusi dari permasalahan dalam soal dan menuliskan jawaban atau solusi dari permasalahan dalam soal(25 dari 29 mahasiswa/ 86,21%), dan indikator menentukan kesimpulan dari solusi permasalahan yang telah diperoleh dan menentukan alternatif-alternatif cara lain dalam menyelesaikan masalah(22 dari 29 mahasiswa/75,86%).