STUDI FOTODIODE FILMTIPIS SEMIKONDUKTOR Ba0,6Sr0,4TiO3DIDADAHTANTALUM - Irzaman Irzaman (Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency, 2008)
STUDI FOTODIODE FILMTIPIS SEMIKONDUKTOR Ba0,6Sr0,4TiO3 DIDADAH TANTALUM. Telah dilakukan penumbuhan film tipis Ba0,6Sr0,4TiO3 (BST) murni dan yang didadah tantalum pentoksida 5% (BSTT) di atas substrat silikon (100) tipe-p dan di atas substrat Transparant Conductive Oxyde (TCO) tipe-7056 menggunakan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dan spin coating pada kecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik. Film tipis di atas substrat silikon dipanaskan pada suhu 850 oC, 900 oC dan 950 oC,sedangkan film tipis di atas substrat TCO tipe-7059 dipanaskan pada suhu 400 oC, 450 oC dan 500 oC. Darihasil karaktrisasi ketebalan menunjukkan ketebalan meningkat dengan naiknya suhu pemanasan dari 400 oCsampai 500 oC sedangkan pada suhu pemanasan 850 oC sampai 950 oC ketebalan turun. Energy gap film tipis naik dengan naiknya suhu pemanasan dari 400 oC sampai 500 oC, tetapi dengan penambahan doping dapatmenurunkan energy gap film tipis. Nilai koduktivitas listrik film tipis BST dan BSTT berada pada rentang material semikonduktor. Konduktivitas listrik film tipis secara umum turun dengan naiknya suhu pemanasan.Doping tantalum yang diberikan, secara umum dapat menaikkan konduktivitas listrik film tipis. Nilai konduktivitas ini berubah terhadap perubahan intensitas cahaya yang jatuh pada film tipis. Dengan demikian film tipis ini bersifat fotokonduktiv. Konstanta dielektrik film tipis turun jika suhu pemanasan dinaikkan,namun doping tantalumdapat menaikkan konstanta dielektrik filmtipis. Dari hasil karakterisasi arus-tegangan didapatkan film tipis BSTT bersifat fotodiode.