PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS a-SiGe-H DENGAN METODE PECVD DAN HWC-PECVD: PENGARUH LAJU ALIRAN GAS GeH4 TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK - Mursal Mursal; I. Usman; T. Winata; Sukirno Sukirno; M. Barmawi (Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency, 2006)
PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS a-SiGe-H DENGAN METODE PECVD DAN HWC-PECVD: PENGARUH LAJU ALIRAN GAS GeH4 TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK. Lapisan tipis a-SiGe-H telah berhasil ditumbuhkan dengan metode PECVD dan HWC-PECVD pada laju aliran gas GeH4 yang berbeda. Lapisan ditumbuhkan di atas substrat gelas corning 7059 dengan menggunakan campuran gas SiH4 dan GeH4, masing-masing dengan konsentrasi 10% dalam gas H2. Laju aliran gas GeH4 divariasikan dari 1 sccm hingga 3,5 sccm, sedangkan laju aliran gas SiH4 70 sccm. Hasil penelitian menunjukkan bahwa lapisan tipis a-SiGe-H yang ditumbuhkan dengan metode HWC-PECVD memiliki koefisien absorpsi yang lebih tinggi dibandingkan dengan lapisan yang ditumbuhkan dengan metode PECVD. Celah pita optik lapisan tipis a-SiGe-H, baik yang ditumbuhkan dengan PECVD maupun HWC-PECVD menyempit akibat meningkatnya kandungan Ge dalam lapisan seiring dengan meningkatnya laju aliran gas GeH4 dari 1 sccm hingga 3,5 sccm. Sensitivitas penyinaran lapisan tipis a-SiGe:H yang ditumbuhkan dengan metode PECVD menurun, sebaliknya sensitivitas penyinaran lapisan yang ditumbuhkan dengan metode HWC-PECVD pada suhu filamen 800 0C mengalami peningkatan yang cukup berarti dengan meningkatnya laju aliran gas GeH4 dari 1 sccm hingga 2,5 sccm.