PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS OKSIDA TIMAH DENGAN TEKNIK CVD-PENGKABUT ULTRASONIK - Dwi Bayuwati; Suryadi Suryadi (Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency, 2006)
PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS OKSIDA TIMAH DENGAN TEKNIK CVD-PENGKABUT ULTRASONIK. Lapisan tipis konduktif – anti reflektif Oksida Timah/SnO2 dengan ketebalan sekitar 100 nm telah ditumbuhkan pada substrat silikon orientasi kristal (100) menggunakan teknik CVD/Chemical Vapour Deposition-pengkabut ultrasonik. Pada sistem pelapisan menggunakan pengkabut ultrasonik ini, suatu transduser piezoelektrik dicelupkan ke dalam tabung berisi cairan pembentuk lapisan/precursor untuk menggetarkan dan memecah partikel cairan sehingga menjadi kabut/fog yang kemudian dialirkan ke suatu ruang terisolasi dengan sistem pemanas tempat cuplikan substrat diletakkan; melalui suatu nozzle atau bisa juga suatu reduced tube. Proses pelapisan dilakukan pada rentang suhu 300 oC sampai dengan 397 oC. dengan Nitrogen sebagai gas pembawa. Proses karakterisasi dilakukan dengan mengamati sifat listrik dan optis dengan four point probe dan spektrometer optik; memeriksa struktur kristal dengan difraksi sinar-X serta mengamati morfologi permukaan lapisan dengan SEM. Hasil karakterisasi menghasilkan harga resistivitas dalam orde 10-2 ohm-cm, penurunan refleksi dari 26% ke 2% setelah pelapisan serta terbentuknya struktur polikristalin oksida timah diatas substrat silikon.