DEPOSISI FILM TIPIS CERIA DIDADAH Nd MENGGUNAKAN TEKNIK PULSED-LASER ABLATION DEPOSITION (PLAD) - lis Nurhasanah; Khairurrijal .; Mikrajuddin Abdullah; Bambang Ariwahjoedi; Maman Budiman; Sukirno . (BATAN, 2006)
DEPOSISI FILM TIPIS CERIA DIDADAH Nd MENGGUNAKAN TEKNIK PULSED-LASER ABLATION DEPOSITION (PLAD). Film tipis ceria didadah Nd (Nd-doped ceria/NDC) telah berhasil dideposisikan di atas substrat Si(100) pada temperatur 400°C menggunakan teknik pulsed-laser ablation depostion (PI‑AD) dalam kondisi vakum dan tekanan 02 antara 15 - 29 mTorr. Analisis difraksi sinar-x, scanning electron microscopy (SEM), dan energy dispersive x-ray (EDX) digunakan untuk mengamati struktur, ketebalan dan komposisi kimia film. Hasil studi ini menunjukkan bahwa tekanan 02 selama proses deposisi menentukan kristalisasi, ketebalan film dan komposisi atom dalam film. Film tipis NDC dengan struktur kompak dan komposisi beragam yang diperoleh menunjukan bahwa teknik PLAD berpotensi untuk menghasilkan film tipis elektrolit yang penting bagi solid electrolyte fuel cell (SOFC).