SIMULASI PERHITUNGAN REFLEKSI CAHAYA OLEH PERMUKAAN SEL SURYA SILIKON : STUDI PENGARUH PENAMBAHAN LAPISAN ANTI REFLEKSI ZINC OKSIDA (ZnO) - Andi Suhandi; Firmanul Catur Wibowo (Universitas Negeri Semarang, 2013)
Telah dilakukan simulasi perhitungan untuk mendapatkan gambaran pengaruh penambahan lapisan anti refleksi ZnO terhadap persen refleksi cahaya oleh permukaan sel surya Silikon. Proses perhitungan dilakukan dengan bantuan software Sigma Plot. Perhitungan menggunakan konsep-konsep dasar fisika terkait optika, diantaranya konsep refleksi dan transmisi gelombang cahaya ketika melewati bidang batas dua medium yang berbeda kerapatan optiknya, konsep polarisasi cahaya, dan konsep anti refleksi. Hasil simulasi perhitungan menunjukkan bahwa persen refleksi cahaya oleh permukaan sel surya silikon nilainya bergantung pada panjang gelombang cahaya datang (). Persen refleksi turun dari dari 38% ketika permukaan sel surya Silikon tidak dilapisi lapisan antirefleksi ZnO menjadi sekitar 15 % setelah permukaan sel surya silikon dilapisi lapisan ZnO dengan ketebalan sekitar 110 nm. Hasil lainnya menunjukkan bahwa persen refleksi cahaya oleh permukaan sel surya Silikon yang telah dilapisi lapisan anti refleksi ZnO nilainya bervariasi bergantung pada ketebalan lapisan anti refleksi yang digunakan. Dalam rentang data simulasi, ketika tebal lapisan anti refleksi ZnO ditingkatkan, persen refleksi cahaya oleh permukaan sel surya silikon nilainya turun, namun ketika ketebalan lapisan anti refleksi ditingkatkan lagi, ternyata persen refleksi cahaya oleh permukaan sel surya naik kembali. Keadaan ini menunjukkan adanya nilai ketebalan lapisan anti refleksi optimum yang menghasilkan persen refleksi cahaya oleh sel surya bernilai minimum. Penurunan persen refleksi cahaya oleh permukaan sel surya akan meningkatkan persen transmisi cahaya menuju lapisan aktif sel surya, yang pada akhirnya akan meningkatkan efisiensi konversi sel surya Silikon.