STUDI PENUMBUHAN FILM TIPIS CUPC DENGAN METODE PENGUAPAN HAMPA UDARA PADA SUHU RUANG UNTUK APLIKASI SENSOR GAS (Universitas Negeri Semarang, 2010)
Penumbuhan film tipis CuPc di atas substrat SiO2 dengan metodepenguapan hampa udara (Model JEOL JEE-4X) telah dilaksanakan. Aktivitas inimerupakan langkah awal untuk mengembangkan sensor gas berbasis CuPc.Penumbuhan film tipis CuPc dilakukan dengan 2 variabel penelitian, yaitu waktudeposisi dan kuat arus pada alat vacuum evaporator. Karakteristik film tipis CuPctelah dianalisis didasarkan pada struktur mikro dengan menggunakan X-RayDiffraction (X-RD) and Scanning Electron Microscopy (SEM). Selanjutnya hasil XRDuntuk masing-masing sample telah dianalisis oleh ICDD ((International Centrefor Diffraction Data). Pada sisi lain, permukaan dan ketebalan film tipis CuPcdianalisis dengan gambar hasil dari SEM. Hasil spektrum dari X-RD diperoleh bahwafilm CuPc dideposisikan dengan kuat arus 35 A – 50 A menunjukkan adanyapeningkatkan kristal dalam film tipis CuPc.Ketebalan film tipis CuPc yangdideposisikan dengan pengaturan kuat arus 40 A, 45 A dan 50 adalah berturut-turut2,1 μm, 2,4 μm dan 4,8 μm. Film tipis CuPc yang didasarkan pada hasil deposisidapat dikatakan bahwa film dengan pengaturan kuat arus 45 A pada alat penguapanhampa udara merupakan karakteritik optimum pertama . Kesimpulan yang diperolehadalah film tipis CuPc dengan ketebalan akan meningkat, jika kuat arus yangdiaplikasikan pada alat penguapan ruang hampa juga ditingkatkan.Pembuatan OFETberbasis CuPc dilakukan dengan membuat struktur bottom-contact. Proses diawalidengan pencucian substrat Si/SiO2 dengan etanol dalam ultrasonic cleaner. Untukstruktur bottom-contact, setelah dilakukan pencucian substrat selanjutnyamendeposisikan elektroda source/drain di atas lapisan SiO2 menggunakan bahanemas murni dengan metode lithography.Kata kunci : Copper Phthalocyanine(CuPc), film tipis CuPc, vacuum evaporator