SENSOR GAS BERBASIS FILM TIPIS DENGAN KONFIGURASI TRANSISTOR EFEK MEDAN (FET) UNTUK DETEKSI GAS CO (Universitas Negeri Semarang, 2013)
Pembuatan dan karakterisasi Transistor Efek Medan (FET) berbasis film tipis dengan struktur bottom-contact dan panjang channel 100 μm untuk aplikasi sensor gas. Pembuatan FET dengan cara: permulaan dilakukan pencucian substrat Si/SiO 2 dengan etanol dalam ultrasonic cleaner, kemudian dilakukan pendeposisian elektroda source/ drain dengan metode penguapan hampa udara dan teknik lithography. Selanjutnya dilakukan deposisi film tipis CuPc diantara source/drain sebagai panjang channel dan elektrode gate. Karakteristik FET, untuk daerah aktif untuk V DS (2,80 s/d 3,42) V dan kuat arus I (0,00095 s/d 0,00169) A. FET akan aktif beroperasi hanya diperlukan tegangan V DS (2,79 V s/d 3,43 V) dan dengan ukuran sangat kecil ( 1,5 mm x 3,1 mm ) serta jarak antara S ke D adalah 100 μm. Aplikasi sensor gas telah dilakukan untuk mendeteksi gas CO, diperoleh hasil untuk response time 90 detik dan recovery time 120 detik. DS