PENGARUH ENKAPSULASI LOGAM Ga DAN As TERHADAP CELAH PITA BORON NITRIDE NANOTUBE(4,4) (Universitas Negeri Semarang, 2013)
Tujuan utama dari penelitian ini adalah untuk menurunkan nilai celah pita BNNT sehingga diperoleh BNNT yang bersifat semikonduktor. BNNT yang bersifat semikonduktor ini diharapkan bisa menjadi alternatif bagi CNT. Untuk menurunkan nilai celah pita BNNT, pada penelitian ini dilakukan enkapsulasi Galium (Ga) dan Arsen (As). Penelitian ini dilakukan menggunakan metode DFT/B3LYP menggunakan paket Gaussian® 03W dan hasilnya dianalisis menggunakan GaussSum 2.2. Penelitian ini menggunakan BNNT(4,4) yang terdiri dari 4 repetisi cincin BN. Penurunan celah pita diukur menggunakan metode DFT/B3LYP dengan berbagai basis set yakni STO-3G, 3-21G, dan 6-311G. Perhitungan menggunakan STO-3G menunjukan bahwa celah pita dari BNNT(4,4), BNNT(4,4)-Ga, dan BNNT(4,4)-As berturut-turut adalah sebesar 6,10 eV, 2,35 eV, dan 2,99 eV. Perhitungan yang menggunakan 3-21G menunjukan celah pita dari BNNT(4,4), BNNT(4,4)-Ga, dan BNNT(4,4)-As berturut-turut adalah sebesar 6,04 eV, 2,31 eV, dan 2,88 eV. Perhitungan menggunakan 6-311G juga menunjukan hasil yang identik, celah pita BNNT(4,4), BNNT(4,4)-Ga, dan BNNT(4,4)-As berturut-turut adalah sebesar 6,10 eV, 2,25 eV, dan 2,55 eV. Dari penelitian ini dapat disimpulkan bahwa enkapsulasi Ga dan As pada BNNT(4,4) dapat menurunkan nilai celah pita dari BNNT(4,4).