PENGARUH ENKAPSULASI LOGAM TERHADAP NILAI CELAH PITA BORON NITRIDE NANOTUBES(4,4) (Universitas Negeri Semarang, 2013)
Boron Nitride Nanotubes (BNNTs) merupakan material nano yang memiliki nilai celah pita lebar sekitar 5,5 eV. Nilai celah pita BNNTs perlu diturunkan kisaran 2 eV sampai 3 eV agar material ini dapat digunakan sebagai bahan semikonduktor. Salah satu cara untuk menurunkan nilai celah pita BNNTs yaitu dengan mengenkapsulasi material, bisa senyawa organik ataupun logam. Tujuan penelitian ini adalah untuk mengetahui perubahan nilai celah pita BNNTs ketika mengenkapsulasi logam Fe maupun logam Cu. Perhitungan nilai celah pita menggunakan metode Density Functional Theory (DFT) dengan basis set Double Zetta Polarized (DZP). Hasil analisis menunjukkan adanya kombinasi struktur pita pada BNNTs yang menghasilkan nilai celah pita BNNTs yang semakin menyempit. Untuk perhitugan nilai celah pita BNNTs murni menggunakan metode DFT didapatkan sebesar 4,31 eV, sedangkan BNNTs yang telah mengenkapsulasi logam Fe didapatkan celah pita 2,82 eV, dan untuk BNNTs yang mengenkapsulasi logam Cu didapatkan celah pita sebesar 2,16 eV. Dari data tersebut diketahui bahwa dengan mengenkapsulasi logam Fe atau Cu, nilai celah pita BNNTs dapat diubah menjadi material semikonduktor.