STUDI TENTANG PENGARUH JARAK (SPACER) TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn〖(Se〗_(0,2) 〖Te〗_(0,8)) HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI VAKUM STUDY ABOUT THE EFFECT OF SPACER TO CRYSTAL QUALITY Sn〖(Se〗_(0,2) 〖Te〗_(0,8)) THIN FILMS PREPARATION RESULTS BY VACUUM EVAPORATION TECHNIQUE - Wida Afosma; Ariswan Ariswan (Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika, 2017)
Abstrak Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh variasi jarak antara material sumber dengan substrat (spacer) terhadap kualitas kristal lapisan tipis, struktur kristal dan parameter kisi lapisan tipis, mengetahui morfologi permukaan dan kompoisi kimia lapisan tipis Sn) yang terbentuk. Teknik yang digunakan dalam proses penumbuhan kristal pada pada penelitian ini adalah teknik Evaporasi Vakum. Penumbuhan lapisan tipis Sn) dilakukan dengan variasi spacer. Untuk sampel 1 dengan spacer 10 cm, sampel 2 dengan spacer 15 cm dan sampel 3 dengan spacer 25 cm. Ketiga sampel lapisan tipis Sn) ini dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui struktur kristal dan parameter kisi, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaaan dan EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) untuk mengetahui komposisi kimia lapisan tipis Sn).Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahawa lapisan tipis Sn memiliki struktur kristal kubik. Nilai parameter kisi sampel 1 adalah a = 6,34 Å, sampel 2 adalah a = 6,38 Å dan sampel 3 adalah a = 6,40 Å. Hasil XRD menunjukkan bahwa variasi spacer dapat mempengaruhi kualitas kristal lapisan tipis. Intensitas paling tinggi ditunjukkan pada sampel 1 dengan spacer 10 cm, intensitas sedang ditunjukkan pada sampel 2 dengan spacer 15 cm dan intensitas paling rendah ditunjukkan pada sampel 3 dengan spacer 25 cm. Intensitas yang tinggi menunjukkan keteraturan letak atom-atom dalam kristal semakin baik. Hasil karakterisasi SEM menununjukkan bahwa kristal lapisan tipis Sn) terdiri atas grain berbentuk kubik dan memiliki permukaan yang homogen terlihat dari bentuk dan warna kristal yang seragam. Pada sampel 1, butiran (grain) sebagian besar berukuran 0,3m dan pada sampel 2, butiran (grain) sebagian besar berukuran 0,2 m. Hasil karakteriasai EDS pada sampel 1 diperoleh perbandingan molaritas Sn : Se : Te adalah 1 : 0,29 : 0,58. Untuk sampel 2 diperoleh perbandingan molaritas Sn : Se : Te adalah 1 : 0,33 : 0,62. Kata kunci: lapisan tipis Sn), evaporasi vakum, preparasi, spacer. AbstractThis study aimed to determine the effectf variation the distance between the source and the substance (spacer) to crystal quality thin films, crystal structre and lattice parameter of thin films, to determine surface morphology and chemical composition of the Sn thin flms formed. The technique used in the crystal growing process was the Vacuum Evaporation technique. The growth of Sn thin flms was done by varying the spacer. For sample 1 at spacer 10 cm, sample 2 at spacer 15cm and sample 3 at spacer 25 cm. These Sn thin films were characterized by XRD (X-Ray Diffraction) to determine the crystal structure and lattice paremeter, SEM (Scanning Electron Microscopy) to determine surface morphology and EDS (Energy Dispersive Spectrometry) to determine chemical composition of Sn thin films.The reults of XRD characterization showed that Sn thin films were kubic crystal structure. Lattice parameter of sample 1 is a = 6,34 Å, sample 2 is a = 6,38 Å and sample 3 is a = 6,40 Å. The results of difractograms showed that spacer variation can be eeffect of crystal quality Sn). The highest intensity showed in sample 1 with spacer 10 cm, the medium intensity showed in sample 2 with spacer 15 cm and the most low intensity showed in sample 3 with spacer 25 cm. the highest intensity which showed the regularity of atoms. The results of SEM characterization showed that the surface morphology of Sn thin films consisted of kubic grains and had homogeneous structure marked by the uniformity of shape and colour. In sample 1, the grains most of the measuring 0,3 m and sample 2, the grains most of the measuring 0,2 m . The results of EDS at sample 1 the molarity comparisons was Sn : Se : Te = 1 : 0,29 : 0,58. For the sample 2, the molarity comparisons was Sn : Se : Te = 1 : 0,33 : 0,62. Keywords: Sn thin films, vacuum evaporation, preparation, spacer.