Kajian Variasi Temperatur Annealing dan holding time pada Penumbuhan Lapisan Tipis BaZr0,15Ti0,85O3 dengan Metode Sol-Gel - S. Hadiati; A.H. Ramelan; V.I Variani; M. Hikam; B. Soegijono; D.F. Saputri; Y. Iriani (Lembaga Penelitian dan Pengabdian Kepada Masyarakat, LPPM-ITS, 2014)
Kajian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh variasi temperatur annealing dan holding time (waktu tahan) terhadap struktur kristal, ukuran partikel, dan ukuran butir lapisan tipis BaZr0,15Ti0,85O3. Penumbuhan lapisan tipis menggunakan metode Chemical Solution Deposition (CSD) atau Sol Gel di atas substrat Pt/Si dengan spin coater. Proses Sol Gel meliputi persiapan sol (koloid), gelation dari sol, dan penguraian pelarut. Penumbuhan lapisan tipis menggunakan variasi temperatur annealing 800 dan 900C, dan variasi holding time 3 dan 4jam dengan kecepatan putar 4000 rpm. Lapisan tipis dikarakterisasi dengan XRD dan dilakukan penghalusan menggunakan metode Rietveld dengan program GSAS. Ukuran partikel didapat dengan formula Scherer serta alat SEM untuk mengetahui ukuran butir. Berdasarkan hasil analisis didapatkan bahwa variasi temperatur annealing dan holding time mempengaruhi struktur kristal, ukuran partikel, dan ukuran butir lapisan tipis. Bertambahnya temperatur annealing dan holding time maka parameter kisi semakin besar dengan a = b 6= cyang berarti memiliki struktur kristal tertragonal. Ukuran partikel semakin besar seiring dengan bertambahnya temperatur annealing dan holding time. Namun, ukuran butir tidak berpengaruh terhadap penambahan temperatur annealing.