PENGARUH PROFILE BASIS PADA HETERO JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR SILIKON GERMANIUM (SIGE HBT). TERHADAP PARAMETER SCATTERING - Ahmad Tossin Alamsyah; Engelin Shitadewi (Politeknik Negeri Jakarta, 2016)
ABSTRACTTechnology of modern Silicon epitaxy at heterojunctions (Si) and Germanium (Ge) likes SiGe, MBE, (Molecular Beam Epitaxy), UHV/CVD (Ultra High Vacuum Chemical Vapor Deposition/) and LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) are used for the realization of profile Ge doping on the design of Bipolar Transistor Heterojunctions (HBT).This Research is conducted on simulation and analysis of Ge doping profile in HBT with a square profile shape, triangle and Trapezoid with mole fraction (x) 0.1 and0.2. The model design of the HBT Structure analyzed has wide collector (Wc) 350 nm, Doping the collector (Nc) 3.1017, Wide base (Wb) 40 nm, the concentration of base (Nb) 1019 cm-3, AE 0.25 × 10 µ m2, WE 10 nm, NE maximum 1021 cm-3. SiGe graded Profile with settings in the base gives the different influences on the frequency threshold and the maximum Frequency with different current gain (Ai) almost the same which is around 60 dB antil 70 dB. As such generated that Ge Profile rectangular generate scattering parameters required are wider than others i.e. for S11 0.18 <-9 (min) and 178-0.278 < (max.), S12 0.0175 <-2 (min) and 0.3471 <-171 (max.), S21 < 2.88 9 (min) and 56 < 178 (max) and S220.27 < 12 (min) and, 0.42 <-181 (maxKey words : profile graded , HBT SiGe, Scattering Paramater. ABSTRAKTeknologi epitaksi modern pada heterojunction Silikon (Si) dan Germanium (Ge) atau SiGe seperti MBE (Molecular Beam Epitaxy) , UHV/CVD (Ultra High Vacuum / Chemical Vapor Deposition) dan LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) digunakan untuk merealisasikan profile doping Ge pada rancangan Heterojunction Bipolar Transistor (HBT).Pada Penelitian ini dilaksanakan simulasi dan analisa profile doping Ge pada HBT dengan bentuk profile Segiempat, Segitiga dan Trapesium dengan mole fraction (x) 0.1 dan 0.2. Model rancangan Struktur HBT yang dianalisa memiliki Lebar Kolektor (Wc) 350 nm, Doping Kolektor (Nc) 3.1017 , Lebar basis (Wb) 40 nm, Konsentrasi basis (Nb) 1019 cm-3, AE 0,25×10 µm2 , WE 10 nm, NE maksimum 1021 cm-3. Dengan pengaturan Profile graded SiGe pada Basis memberikan pengaruh yang berbeda pada frekuensi threshold dan Frekuensi maksimum yang berbeda dengan current gain (Ai) yang hampir sama yaitu sekitar 60 dB sampai 70dB. Dengan demikian dihasilkan bahwa Profile Gesegi empat menghasilkan paramater scattering yang yang lebih lebar disbanding yang lain yaitu untuk S11 0.18<-9 (min) dan 0.278<-178 (maks), S12 0.0175<-2 (min) dan 0.3471<-171(maks), S21 2.88<9(min) dan 56.99<178 (maks) serta S22 0.27<12(min) dan, 0.42<-181(maks).Kata kunci : profile graded , HBT SiGe, Scattering Paramater