ANALISIS PENGARUH DAYA RF TERHADAP KARAKTERISTIK LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK VHF-PECVD - Yusdarina, Yusdarina (Program Studi Pendidikan Fisika FKIP Universitas Muslim Maros, 2018)
Analisis Pengaruh Daya RF Terhadap Karakteristik Lapisan Tipis Silicon Amorf Terhidrogenasi yang Ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD. Tujuan penelitian ini adalah untuk menganalisis pengaruh daya Rf dan temperatur subtract terhadap sifat listrik dan optik lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi yang terdiri dari transmitansi, koefisien absorpsi (a), celah pita optic (Eopt), indekss bias (n) dan laju deposisi yang ditumbuhkan dengan teknik Very High Frequency PECVD. Hasil optimasi temperature Subtract menunjukkan bahwa lapisan a-Si:H dengan kualitas baik yakni memiliki celah pita optic 1,69 eV, konduktivitas gelap dan terang yang tinggi masing-masing yaitu 9,70 x 10-8 Scm-1 dan 3,42 10-5 Scm-1.