Klem Aktif Tunggal Interleaved flyback dengan Kombinasi N-MOSFET dan P-MOSFET - Andriyatna Agung Kurniawan; Eka Firmansyah; F. Danang Wijaya (Universitas Amikom Purwokerto, 2018)
Penggunaan topologi interleaved flyback dengan menyusun dua atau lebih rangkaian flyback dapat mengakibatkan peningkatan dampak tegangan kejut. Dengan meningkatnya dampak tegangan kejut akan berakibat meningkatnya pula resiko kerusakan sistem akibat tegangan kejut tersebut. Dalam penelitian ini, diusulkan sebuah rangkaian klem aktif tunggal untuk mengatasi masalah tegangan kejut yang timbul dari dua buah flyback yang tersusun dalam konfigurasi interleaved. Selain untuk mengatasi tegangan kejut yang timbul, pemasangan klem aktif tunggal pada interleaved flyback juga mengurangi penggunaan komponen aktif dan pasif pada sistem sehingga dapat meningkatkan efisiensi dan mengurangi biaya produksi. Penelitian ini disimulasikan pada sistem area kerja 350 W dan dari simulasi diperoleh nilai efisiensi 91.8%. Kata Kunci: flyback, interleaved, klem, kejut.