FABRIKASI AWAL PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS CARBON NANOTUBES DENGAN METODE VHF-PECVD - Kurniasih, Sri Cicih; Sari, Yulia (Badan Penelitian dan Pengembangan Industri, 2008)
Saat ini carbon nanotubes merupakan salah satu topik nanoteknologi yang menarik di dunia karena memiliki sifat elektronik dan mekanik yang sangat unik dan menarik banyak perhatian untuk diaplikasikan. Fabrikasi awal penumbuhan lapisan tipis carbon nanotube telah dilakukan dengan metode Very High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (VHF-PECVD) pada frekwensi 70 MHz. Sumber karbon yang digunakan adalah gas metan (CH4) sedangkan sumber hidrogen adalah silan (SiH4) Perbandingan antara laju aliran metan dan silan 10: 1 dan tekanan 400 mTorr. Laju deposisi optimum akan diperoleh dengan menvariasikan daya rf dari 20 watt - 50 watt yang berperan sebagai sumber pembangkit plasma. Penumbuhan dilakukan pada suhu 250 DC dengan waktu deposisi selama 80 menit. Identifikasi lapisan tipis dilakukan menggunakan SEM dan EDX. Butiran-butiran dengan diameter sekitar 0,1 µm.-0,5 µm.(100 nm - 500 nm), telah tumbuh diatas permukaan substrat meskipun belum terbentuk tube tube yang mengindikasikan carbon nanotube. Komposisi lapisan tipis dengan karbon terbesar dan silikon yang seminimal mungkin terjadi pada daya rf 40 watt yaitu atom carbon 56,25 %, atom silikon 37,22 % Kata kunci : Carbon nanotube , VHFPECVD, daya rf, SEM-EDX.