FABRIKASI LAPISAN TIPIS CuInS2 MENGGUNAKAN METODA REACTIVE SPUTTERING

Mohammad Mustafa Sarinanto (Direktorat Teknologi Informasi dan Elektronika BPPT Gd 11 BPPT, Lt.21, JI.M.H.Thamrin no.8 Jakarta Pusat 10340)

Jurnal Sains Materi Indonesia
Vol 1, No 2: FEBRUARI 2000

FABRIKASI LAPISAN TIPIS CuInS2 MENGGUNAKAN METODA REACTIVE SPUTTERING. Lapisan tipis CuInS2 telah dipreparasi di atas Pyrex slide glass dengan menggunakan metoda reactive sputtering, dengan temperatur substrat 200-350°C dimana sebagai gas pereaksi digunakan CS2. Kecepatan pertumbuhannya adalah 0,5 — 1 pm/jam. Film kristal yang diperoleh mempunyai orientasi (112) sejajar dengan substrat.