PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA GaN TERHADAP STRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN DITUMBUHKAN DENGAN METODE PULSED LASER DEPOSITION

I Gusti Agung Putra Adnyana (Departemen Fisika, FMIPA-Universitas Udayana Kampus Bukit Jimbaran, Buleleng, Denpasar, Bali)
Komang Ngurah Suarbawa (Departemen Fisika, FMIPA-Universitas Udayana Kampus Bukit Jimbaran, Buleleng, Denpasar, Bali)
I Ketut Sukarasa (Departemen Fisika, FMIPA-Universitas Udayana Kampus Bukit Jimbaran, Buleleng, Denpasar, Bali)

Jurnal Sains Materi Indonesia
Vol 11, No 1: OKTOBER 2009

PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA GaN TERHADAP STRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN DITUMBUHKAN DENGAN METODE PULSED LASER DEPOSITION. Telah dilakukan studi pengaruh ketebalan lapisan penyangga Galium Nitrida, GaN terhadap struktur kristal dan sifat optik film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metode Pulsed Laser Deposition (PLD). Lapisan penyangga ditumbuhkan pada suhu 450ºC dan laju aliran nitrogen 100 sccm dengan waktu deposisi divariasikan antara 15 menit sampai 45 menit. Film yang diperoleh dikarakterisasi dengan Profilometer DEKTAK IIA, Difraktometer sinar-X dan Spektroskopi UV-Vis. Ketebalan lapisan penyangga berpengaruhterhadap kualitas kristal dan sifat optik film tipis GaN yang ditumbuhkan di atasnya. Dari hasil analisis pola difraksi sinar-X dan spektrum UV-Vis, diketahui bahwa film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas lapisan penyangga dengan ketebalan 184,6Å cenderungmemiliki orientasi tunggal (0002) yang lebih baik dengan Full Width at Half-Maximum (FWHM) 0,9º dan energi celah pita (Eg) = 3,4 eV dibanding film tipis GaN dengan ketebalan lapisan penyangga 370,2 Å dan 560 Å.