<![CDATA[ANALISIS PENURUNAN EFISIENSI SEL SURYA YANG DISEBABKAN PERLUASAN SEL PADA STRUKTUR P-I-N PECVD a-Si-H. Makalah ini menganalisis penurunan efisiensi yang disebabkan perluasan sel struktur p-i-n dengan metode kausal komparatif. Analisis lebih ditekankan pada PECVD a-Si-h lapisan-i yang dalam struktur p-i-n berfungsi sebagai media aktif, sedangkan lapisan-p dan lapisan n berfungsi sebagai media pasif. Hasil pengukuran I-V konduktivitas dalam gelap dan di bawah iluminasi, baik menggunakan teknik 2-probe dan 4-probe, PECVD a-Si:H lapisan-i berfungsi sebagai media aktif dengan beda hampir mencapai 7 orde. Dalam pengukuran sifat absorpsi ditemukan bahwa ikatan antar atom Si dan atom H masih didominasi oleh ikatan (SiH2)n dengan nomor-gelombang 792 cm-1 sampai dengan 2089 cm-1. Hal ini menunjukkan keberadaan dangling bond pada PECVD a-Si:H lapisan-i. Dengan penerapan konsep dasar Iptek Bahan, pemrosesan metode PECVD perlu ditentukan rasio efektif aliran gas (H2/SiH4) dengan pertumbuhan lambat, bila dipandang perlu suhu deposisi Td juga harus diturunkan dibawah 275 oC.]]>
Copyrights © 2006
