KARAKTERISTIK ARUS FILM TIPIS CeO2 DAN Nd-CeO2 YANG DIDEPOSISIKAN DI ATAS SUBSTRAT Si(100) MENGGUNAKAN TEKNIK PULSED-LASER ABLATION DEPOSITION (PLAD)

Iis Nurhasanah (Jurusan Fisika FMIPA - UNDIP Jl. Prof. H. Soedarto, SH, Tembalang, Semarang 50275 K.K. Fisika Material Elektroni - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132)
Khairurrijal Khairurrijal (K.K. Fisika Material Elektroni - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132)
Mikrajudin Abdullah (K.K. Fisika Material Elektroni - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132)
Bambang Ariwahjoedi (K. K. Kimia Inorganik dan Fisik, FMIPA - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132)
Maman Budiman (K.K. Fisika Material Elektroni - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132)
Sukirno Sukirno (K.K. Fisika Material Elektroni - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132)

Jurnal Sains Materi Indonesia
EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006

KARAKTERISTIK ARUS FILM TIPIS CeO2 DAN Nd-CeO2 YANG DIDEPOSISIKAN DI ATAS SUBSTRAT Si(100) MENGGUNAKAN TEKNIK PULSED-LASER ABLATION DEPOSITION (PLAD). Karakteristik arus film tipis CeO2 dan Nd-CeO2 yang dideposisikan di atas substrat p-Si(100) menggunakan teknik Pulsed-Laser Ablation Deposition (PLAD) telah diamati melalui pengukuran arus-tegangan (I-V). Film tipis CeO2 memiliki rapat arus yang lebih besar 2 orde dari film tipis Nd-CeO2. Perbedaan rapat arus dapat dijelaskan berdasarkan perbedaan orientasi kristal, keadaan trap dan tinggi potensial penghalang. Mekanisme konduksi yang terjadi terutama adalah Space-Charge Limited Current (SCLC) pada tegangan rendah dan emisi Schottky pada tegangan tinggi. Diketahui pula bahwa potensial penghalang film tipis Nd-CeO2 lebih besar dari film tipis CeO2 dan memberikan kontribusi terhadap penurunan rapat arus.