DEPOSISI LAPISAN TIPIS ZnO SEBAGAI LAPISAN TIPIS TIPE N DAN JENDELA SEL SURYA CuInSe2

Yunanto Yunanto (Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan(PTAPB) - BATAN Jl. Babarsari Kotak Pos 1008, Yogyakarta 5510)
Trimardji Atmono (Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan(PTAPB) - BATAN Jl. Babarsari Kotak Pos 1008, Yogyakarta 5510)
Wirjoadi Wirjoadi (Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan(PTAPB) - BATAN Jl. Babarsari Kotak Pos 1008, Yogyakarta 5510)
Bambang Siswanto (Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan(PTAPB) - BATAN Jl. Babarsari Kotak Pos 1008, Yogyakarta 5510)
Sri Sulamdari (Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan(PTAPB) - BATAN Jl. Babarsari Kotak Pos 1008, Yogyakarta 5510)

Jurnal Sains Materi Indonesia
EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006

DEPOSISI LAPISAN TIPIS ZnO SEBAGAI LAPISAN TIPIS TIPE N DAN JENDELA SEL SURYA CuInSe2. Telah dilakukan deposisi lapisan tipis ZnO pada substrat kaca sebagai lapisan tipis tipe N dan jendela sel surya CuInSe2 menggunakan teknik RF sputtering. Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh parameter sputtering terhadap resistansi, tipe konduksi, transmitansi dan struktur kristal, sehingga dapat digunakan untuk sel surya CuInSe2 (CIS). Pembuatan lapisan tipis ZnO menggunakan teknik RF sputtering pada frekuensi 13,56 MHz dengan target ZnO. Bahan target ditumbuki dengan ion Ar, sehingga atom ZnO terpecik pada substrat membentuk lapisan tipis ZnO pada substrat kaca. Pengukuran resistansi dan tipe konduksi menggunakan probe empat titik, transmitansi menggunakan UV Vis, struktur kristal menggunakan XRD. Dari hasil pengamatan diperoleh resistansi terendah 19 k dengan tipe konduksi N, transmitansi tertinggi 99,3 %, struktur kristal lapisan tipis adalah kristal ZnO dengan bidang (100), (002), (101). Dari data tersebut dapat disimpulkan bahan lapisan tipis yang dibuat dapat digunakan sebagai jendela sel surya CIS.