<![CDATA[Silikon Nanotube(10,0) (SiNT) yang bersifat semikonduktor mendekati metalik dengan band gap 0,1 eV diharapkan menjadi alternatif bagi perkembangan industri semikonduktor jika band gap bisa dinaikkan kedalam range semikonduktor, yaitu sekitar 1 sampai 4 eV. Dalam Penelitian ini, optimasi geometri dilakukan dengan menggunakan software Gaussian® 03W dan hasilnya dianalisis dengan menggunakan software GaussSum. Pemodelan SiNT(10,0) terdiri dari 2 repetisi cincin Si dengan total atom Si sebanyak 80 atom. Energi total dan band gap diukur menggunakan metode DFT B3LYP dengan basis set 3-21G. Energi total dari optimasi geometri SiNT(10,0), SiNT(10,0)-Cu, dan SiNT(10,0)-Fe berturut-turut adalah -23050,1933899 Hartree, -24682,6747646 Hartree dan -24307,6639011 Hartree. Dari hasil optimasi geometri, pengenkapsulasian logam mempengaruhi kestabilan struktur dengan ditandainya energi makin rendah. Band gap SiNT(10,0), SiNT(10,0)-Cu, dan SiNT(10,0)-Fe berturut-turut adalah 0,25; 1,22 dan 0,25 eV. Fe memiliki sifat feromagnetik dimana sifat kemagnetannya lebih kuat dari Cu yang memiliki sifat diamagnetik. Akibatnya fermi level pada SiNT(10,0)-Fe menurun dari struktur SiNT(10,0), Cu mempunyai jari-jari kovalen lebih besar dari Fe, sehingga interaksi elektron antara Cu dengan atom-atom Si lebih kuat mengakibatkan diameter SiNT lebih kecil, sehingga band gap makin besar. Dari penelitian ini dapat disimpulkan bahwa SiNT(10,0)-Cu dapat lebih menstabilkan struktur dan menaikkan band gap dari SiNT(10,0) daripada SiNT(10,0)-Fe.]]>
Copyrights © 2013
