<![CDATA[PZT (PbZr1-xTixO3 ) merupakan bahan berbentuk kristal perovskite yang dapat dimanfaatkan sebagai sensor inframerah. Penambahan sedikit dopan (bahan pendoping) dapat mengubah secara drastis karakteristik spesifik dari bahan keramik-ferroelektrik seperti polarisasi spontan, sifat dielektrik, sifat elektromekanik, elektrooptik dan sifat lainnya. Hard doping dengan menggunakan ion In3+ diaplikasikan pada penelitian ini dan dilakukan penumbuhan lapisan tipis dari bubuk PIZT (PbInxZryTi1-x-yO3-x/2) pada substrat Si(100) dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dengan konsentrasi 0,5 M dan kecepatan putar spin coating 3000 rpm. Karakteristik bahan PIZT baik bubuk maupun lapisan tipisnya diuji dengan difraksi sinar x. Analisis Rietveld dilakukan dengan menggunakan program GSAS-EXPGUI dan diperoleh parameter kisi dan komposisi fasa dari kristal. Polarisasi spontan (Ps ) PIZT bubuk dan lapisan tipisnya mengalami penurunan dibandingkan dengan bahan asalnya (PZT). Polarisasi spontan yang optimum dari lapisan tipis PIZT dicapai pada rentang doping 0,5% - 1% In2O3. Momen quadrupol potensial listrik (FQ(r) ) bahan PIZT pada suatu titik P (0,0,2a) mencapai kondisi optimum pada % doping 6% In2O3 dan dari hasil penelitian ini juga menunjukkan bentuk lapisan tipis PIZT memiliki nilai (FQ(r)) yang lebih baik daripada bentuk bubuknya untuk rentang doping > 1% In2O3.]]>
Copyrights © 2004
