Fabrikasi dan Analisis Struktur Sel Surya Amorf Menggunakan Sistem PECVD

Soni Prayogi (Universitas Pertamina)
Ayunis Ayunis (Institut Teknologi Sepuluh Nopember)
Yoyok Cahyono (Institut Teknologi Sepuluh Nopember)
Darminto Darminto (Institut Teknologi Sepuluh Nopember)

JRST (Jurnal Riset Sains dan Teknologi)
Volume 7 No. 2 September 2023: JRST

Pada studi ini, telah dilakukkan pembuatan lapisan sel surya silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) tipe p dengan menggunakan sistem PECVD pada subtrat kaca ITO. Deposisi yang dilakukan selama 30 menit dengan daya RF 3-Watt dan temperatur 2700C. Fabrikasi sel surya amorf menggunakanmetode ekperimen dengan mengalirkan gas silan (SiH4) 20 sccm dengan variasi laju gas Hidrogen (H2) dari 30 sccm sampai 70 sccm dan laju gas Boron (B2H6) 2 sccm dan 4 sccm. Hasil fabrikasi sel surya amorf mendapatkan ketebalan lapisan yang diukur dengan spektrometer (NanoCalc-2000) sebesar 302,8-324,0 nm. Dengan menggunakan pengukuran four-point probe didapatkan konduktivitas gelap 3,34 x 10-3 S/cm dan konduktivitas terang didapatkan 3,91 x 10-3 S/cm. Serta, hasil pengukuran menggunakan UV-VIS mendapatkan energi gap sebesar 1,7-1,8 eV. Fabrikasi lapisan sel surya amorf ini diharapkan dapat meningkatkan efisiensi sel surya berbasis a-Si: H.