Pengaruh Doping Strontium pada Lapisan Tipis BaZr0,20Ti0,80O3

D. F. Saputri (Universitas Sebelas Maret (UNS) & STKIP PGRI Pontianak)
S. Hadiati (Universitas Sebelas Maret (UNS) & STKIP PGRI Pontianak)
A.H. Ramelan (Universitas Sebelas Maret (UNS))
Y. Iriani (Universitas Sebelas Maret (UNS))
V. Inda Variani (Universitas Haluoleo)

JFA (Jurnal Fisika dan Aplikasinya)
Vol 9, No 2 (2013)

Lapisan tipis Barium Zirconium Titanat (BaZr0,20Ti0,80O3/ BZT) didoping strontium (Sr) 1% dan 3% telah berhasil ditumbuhkan di atas substrat Pt/Si. Lapisan tipis dideposisi menggunakan metode Chemical Solution Deposition (CSD) yang disiapkan dengan spin coater dengan kecepatan putar 4000 rpm dan suhu annealingnya 800C. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan adanya puncak-puncak milik BZT dan terjadi pergeseran puncak setelah didoping Sr. Refinement dengan analisis Rietveld menggunakan program GSAS dilakukan untuk menunjukan doping Sr telah masuk dalam senyawa BZT dan hasil analisisnya menunjukkan parameter kisi semakin besar seiring bertambahnya Sr. Hasil karakterisasi dari SEM menunjukkan permukaan lapisan tipis BSZT telah rata di atas substrat Pt/Si dan seiring penambahan Sr ukuran butirnya semakin kecil.