Studi Karakteristik I-V Sel Surya p-i-n Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-Si:H)

Suprianto Suprianto (Institut Teknologi Sepuluh Nopember)
Eddy Yahya (Institut Teknologi Sepuluh Nopember)
Darminto Darminto (Institut Teknologi Sepuluh Nopember)

JFA (Jurnal Fisika dan Aplikasinya)
Vol 7, No 2 (2011)

Telah dideposisi lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi dengan tehnik Plasma Enhanced Chemical Vapor deposition (PECVD) dengan daya RF sebesar 5 watt. Selanjutnya lapisan a-Si:H yang terbentuk diaplikasikan sebagai lapisan-i divais sel surya p-i-n. Hasil pengukuran karakteristik I-V dibawah penyinaran 24,7 mW/cm2 pada luas 1 cm2 menunjukkan nilai VOC dan ISC masing-masing 0,568 volt dan 2,71 mA/cm2. Sedangkanpada luas 0,25 cm2 diperoleh nilai VOC dan ISC masing-masing 0,449 volt dan 6,58 mA/cm2 dengan effisiensi 5,31%.