<![CDATA[Pembuatan dan karakterisasi Transistor Efek Medan (FET) berbasis film tipis dengan struktur bottom-contact dan panjang channel 100 μm untuk aplikasi sensor gas. Pembuatan FET dengan cara: permulaan dilakukan pencucian substrat Si/SiO 2 dengan etanol dalam ultrasonic cleaner, kemudian dilakukan pendeposisian elektroda source/ drain dengan metode penguapan hampa udara dan teknik lithography. Selanjutnya dilakukan deposisi film tipis CuPc diantara source/drain sebagai panjang channel dan elektrode gate. Karakteristik FET, untuk daerah aktif untuk V DS (2,80 s/d 3,42) V dan kuat arus I (0,00095 s/d 0,00169) A. FET akan aktif beroperasi hanya diperlukan tegangan V DS (2,79 V s/d 3,43 V) dan dengan ukuran sangat kecil ( 1,5 mm x 3,1 mm ) serta jarak antara S ke D adalah 100 μm. Aplikasi sensor gas telah dilakukan untuk mendeteksi gas CO, diperoleh hasil untuk response time 90 detik dan recovery time 120 detik. DS]]>
Copyrights © 2013
