<![CDATA[Saat ini carbon nanotubes merupakan  salah satu topik nanoteknologi yang  menarik  di  dunia  karena memiliki sifat elektronik dan mekanik yang sangat unik dan menarik banyak perhatian untuk diaplikasikan. Fabrikasi awal  penumbuhan  lapisan tipis  carbon  nanotube  telah  dilakukan dengan  metode  Very High Frequency  Plasma  Enhanced  Chemical Vapour Deposition (VHF-PECVD) pada frekwensi  70 MHz. Sumber karbon yang digunakan adalah gas metan (CH4) sedangkan sumber hidrogen adalah silan (SiH4)   Perbandingan antara  laju aliran metan dan silan  10:  1 dan tekanan 400 mTorr. Laju deposisi optimum akan diperoleh dengan menvariasikan daya rf dari 20 watt -  50 watt yang berperan sebagai sumber pembangkit plasma. Penumbuhan dilakukan pada suhu 250 DC dengan waktu deposisi selama 80 menit. Identifikasi lapisan tipis dilakukan menggunakan SEM dan EDX. Butiran-butiran dengan diameter sekitar 0,1 µm.-0,5 µm.(100 nm -  500 nm), telah tumbuh  diatas permukaan substrat meskipun belum terbentuk tube tube yang mengindikasikan carbon nanotube. Komposisi lapisan tipis dengan karbon terbesar dan silikon yang seminimal mungkin terjadi pada daya rf 40 watt yaitu atom carbon 56,25 %, atom silikon 37,22 %  Kata kunci  : Carbon nanotube , VHFPECVD,  daya rf,   SEM-EDX.]]>
Copyrights © 2008
