Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2020 - 2025
0.659
P-Index
This Author published in this journals
All Journal JREC (Journal of Electrical and Electronics) Jurnal Mahasiswa TEUB e-Jurnal Arus Elektro Indonesia
Pradipta, Doni
Unknown Affiliation
Education Electrical & Electronics Engineering

Published : 3 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 3 Documents
Search

 1 
PERANCANGAN GATE DRIVER UNTUK SIC MOSFET Pradipta, Doni; Hasanah, Rini Nur; Djuriatno, Waru
Jurnal Mahasiswa TEUB Vol 9, No 8 (2021)
Publisher : Jurnal Mahasiswa TEUB

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

ABSTRAKPengendalian komponen elektronika daya diperlukannya driver pada gate sehingga diperlukannya perancangan gate driver bertujuan untuk memperkuat sinyal transmisi yang berasal dari control stage untuk memastikan switching yang sesuai dari power device, dalam perancangan harus memperhatikan rugi-rugi switching, semakin kecil rugi-rugi switching maka perancangan gate driver semakin baik. Dalam penelitian ini digunakan model perancangan gate driver menggunakan analisis beban resistif dan beban induktif dengan rangkaian simulasi pabrik ROHM yang tertera dalam datasheet SiC MOSFET tipe sct2160ke yang disimulasikan menggunakan software TINA-TI. Dalam skripsi ini akan ditampilan hasil simulasi dan analisisnya terhadap delay time on, delay time off, disipasi daya, dan switching energy measurement.Kata kunci : SiC MOSFET, gate driver, switching, TINA-TIABSTRACTControlling of power electronic components require a driver at the gate thus the need for gate driver design which aims to amplify the transmission signal originating from the control stage to ensure proper switching of the power device. In the design, it is crucial to observe switching losses. The smaller the switching losses, the better the gate driver design. This study was conducted using the gate driver design model with inductive and resistive load analysis with the ROHM factory simulation circuit listed in the SiC MOSFET type sct2160ke datasheet which was simulated using the TINA-TI software. In this thesis, the results of the simulation and analysis will be presented on the delay time on, delay time off, power dissipation, and switching energy measurement.Keywords : SiC MOSFET, gate driver, switching, TINA-TI
Analisa Karakteristik Permanent Magnet Synchronous Motor Menggunakan Matlab-Simulink Pradipta, Doni; Brafianto, Dary Rafi; Kurniawan, Muhammad
Jurnal Arus Elektro Indonesia Vol 10 No 2 (2024)
Publisher : Fakultas Teknik, Universitas Jember

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.19184/jaei.v10i2.37947

Abstract

Penggunaan motor listrik menghabiskan energi listrik mencapai dua kali lipat dari pencahayaan, yaitu mencapai 46% dari konsumsi listrik global. Permanent magnet synchronous motor (PMSM) memiliki efisiensi yang lebih tinggi dibandingkan dengan motor induksi. Dalam pengembangan PMSM dibutuhkan pemahaman akan karakteristik jenis motor ini. Analisa karakteristik PMSM telah dilakukan dengan memodelkan motor secara matematis dari tiga fasa menjadi dq beserta hubungan antara tegangan, arus, kecepatan putar, dan torsi motor. Dengan adanya simulasi ini memudahkan pengguna untuk mengubah-ubah parameter motor untuk mengetahui pengaruhnya terhadap karakteristik motor.
Pengaruh Perancangan Gate Driver SiC Mosfet Terhadap Keandalan Sistem Pradipta, Doni
JREC (Journal of Electrical and Electronics) Vol. 11 No. 2 (2023): JREC (Journal of Electrical and Electronics)
Publisher : Program Studi Teknik Elektro Fakultas Teknik Universitas Islam 45 Bekasi

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.33558/jrec.v11i2.7938

Abstract

Pengendalian komponen elektronika daya diperlukannya driver pada gate sehingga diperlukannya perancangan gate driver bertujuan untuk memperkuat sinyal transmisi yang berasal dari control stage untuk memastikan switching yang sesuai dari power device, dalam perancangan harus memperhatikan rugi-rugi switching yang terjadi pada kondisi rise dan fall pada proses switching SiC Mosfet karena jika tidak dilakukan pemasangan gate resistance pada SiC Mosfet pada saat menjelang kondisi steady state terdapat lonjakan tegangan serta ripple yang cukup tinggi sehingga rugi-rugi daya semakin tinggi, oleh karena itu dilakukanny perlunya dilakukan penyesuaian terhadap nilai resistor yang dipasang pada gate SiC Mosfet baik dalam sisi on maupun off karena semakin kecil rugi-rugi switching maka perancangan gate driver semakin baik. Dalam penelitian ini digunakan model perancangan gate driver menggunakan analisis beban resistif dan beban induktif dengan rangkaian simulasi pabrik ROHM yang tertera dalam datasheet SiC MOSFET tipe sct2160ke yang disimulasikan menggunakan software TINA-TI. Dalam paper ini akan ditampilan hasil simulasi dan akan dilakukan analisis pengaruh gate resistance terhadap delay time on, delay time off, disipasi daya, dan switching energy measurement.
Co-Authors Brafianto, Dary Rafi Muhammad Kurniawan Rini Nur Hasanah Waru Djuriatno