Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2021 - 2026
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal Jurnal Sains dan Seni ITS
Aldo Mahenda Putra
Departemen Fisika, Fakultas Sains, Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Arts Humanities

Published : 1 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 1 Documents
Search

 1 
Penggunaan Metode DC Magnetron Sputtering dalam Pembuatan Lapisan Tipis Tipe N (AZO) Sebagai Modul Termoelektrik Elysa Nensy Irawan; Melania S. Muntini; Aldo Mahenda Putra; Tosawat Seetawan; Kunchit Singsoog; Somphorn Thawankaew; Watchara Caho-Moo; Athorn Vora-Ud
Jurnal Sains dan Seni ITS Vol 8, No 1 (2019)
Publisher : Lembaga Penelitian dan Pengabdian Kepada Masyarakat (LPPM), ITS

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.12962/j23373520.v8i1.41915

Abstract

Penelitian mengenai termoelektrik sedang gencar dikembangkan sejak tahun 1990. Pada tahun 2017, mulai dikembangkan termoelektrik yang menggunakan lapisan tipis. Pada penelitian ini, dilakukan fabrikasi termoelektrik lapisan tipis tipe N menggunakan material Zink Oxide (ZnO) di doping dengan Al2O3. Massa ZnO yang diperlukan sebanyak 20.680 gram dan Al2O3 10.079 gram. Proses fabrikasi lapisan tipis dilakukan menggunakan mesin DC Magnetron Sputtering. Tahapan-tahapan dalam melakukan penelitian ini terbagi ke dalam tiga tahapan utama yakni sintesis, fabrikasi (sputtering), dan pengujian. Proses sputtering dilakukan selama 10 menit dan substrat yang digunakan yakni kaca. Pengujian yang dilakukan yakni pengujian ketebalan menggunakan Tolansky Apparatus, pngujian XRD untuk mengetahui fasa yang terbentuk, pengujian ZEM-3 untuk mengetahui resistivitas, Koefisien Seebeck, dan power factor. Berdasarkan pengujian yang dilakukan, diperoleh ketebalan dari lapisan tipis yang terbentuk yakni 74.72 nm. Nilai Koefisien Seebeck dari lapisan tipis yang terbentuk semakin bertambah seiring kenaikan suhu sehingga dapat disimpulkan bahwa material AZO baik digunakan untuk aplikasi termoelektrik pada rentang suhu 200-350 °C.
Co-Authors Athorn Vora-Ud Elysa Nensy Irawan Kunchit Singsoog Melania S. Muntini Somphorn Thawankaew Tosawat Seetawan Watchara Caho-Moo