Pepen Arifin
Laboratorium Fismatel, Jurusan Fisika - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung

Published : 1 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 1 Documents
Search

FILM TIPIS RUTILE CO-TiO2 YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD:PENGARUH SUHU ANIL TERHADAP STRUKTUR KRISTAL Horasdia Saragih; Ridwan Ridwan; Mujamilah Mujamilah; Pepen Arifin; Mohamad Barmawi
Jurnal Sains Materi Indonesia Vol 7, No 1: OKTOBER 2005
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (272.995 KB) | DOI: 10.17146/jusami.2005.7.1.5018

Abstract

FILM TIPIS RUTILE CO-TiO2 YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD:PENGARUH SUHU ANIL TERHADAP STRUKTUR KRISTAL. Film tipis Co-TiO2 telah ditumbuhkan dengan teknik Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) di atas substrat Si(100) dengan menggunakan prekursor metalorganik titanium tetra-isopropoxide [Ti(OCH(CH3)2)4] dan tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) cobalt (III), Co(TMHD)3. Filmtipis dengan orientasi bidang tunggal rutile (002) dihasilkan dengan menggunakan parameter penumbuhan sebagai berikut: suhu bubbler (Tb(Ti)) = 50oC, suhu substrat (Ts) = 450oC, tekanan bubbler (Pb(Ti)) = 260 Torr, laju aliran gas Ar(Ti) = 100 sccm, laju aliran gas O2 = 60 sccm, tekanan total penumbuhan (PTot) = 2 Torr dan laju aliran Ar(Co) ≤ 60 sccm. Film tipis dengan orientasi bidang tunggal ini dianil pada suhu 450oC, 500oC dan 550oC selama masing-masing 3 jam. Hasil penganilan dapat memperbaiki bidang kristal rutile (002). Perbaikan ini ditunjukkan oleh nilai FWHM puncak rutile (002) yang semakin kecil dengan bertambahnya nilai suhu penganilan. Penambahan bidang-bidang kristal tidak terjadi oleh penganilan sampai pada suhu 550oC. Hal ini menunjukkan bahwa film tipis Co-TiO2 memiliki kestabilan yang baik terhadap perubahan termal lingkungannya.