Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2020 - 2025
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal Jurnal Sains Materi Indonesia
Mohamad Barmawi
Departemen Fisika, FMIPA - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung
Materials Science & Nanotechnology

Published : 1 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 1 Documents
Search

 1 
SIFAT FISIS FILM TIPIS TiO2-Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD Horasdia Saragih; Ridwan Ridwan; Mujamilah Mujamilah; Pepen Arifin; Mohamad Barmawi
Jurnal Sains Materi Indonesia Vol 7, No 2: FEBRUARI 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (415.569 KB) | DOI: 10.17146/jsmi.2006.7.2.5002

Abstract

SIFAT FISIS FILM TIPIS TiO2-Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD. Film tipis TiO2-Co telah berhasil ditumbuhkan dengan teknik MOCVD dengan menggunakan prekursor titanium (IV) isopropoxide [Ti(OCH(CH3)2)4] 99,99%dan serbuk tris (2,2,6,6-tetramethyl-3, 5-heptanedionato) cobalt (III) [Co(TMHD)3] 99%. Parameter penumbuhan, seperti: suhu bubbler Ti(OCH(CH3)2)4 50oC, suhu substrat 450oC, tekanan bubbler Ti(OCH(CH3)2)4 260 Torr, laju aliran gas argon ke bubbler Ti(OCH(CH3)2)4 100 sccm, laju aliran gas O2 60 sccm dan tekanan total penumbuhan 2 Torr, ditemukan menjadi parameter penumbuhan yang paling optimal. Struktur kristal film sangat dipengaruhi oleh kehadiran dan konsentrasi atom Co. Ukuran butiran dan kekasaran permukaan film bertambah dengan bertambahnya kandungan Co. Kemampuan larut (solubility) atom Co ke dalam matrik kisi TiO2 teramati mulai bersaturasi pada kandungan Co sekitar 12%. Film tipis TiO2-Co menunjukkan sifat feromagnetisme pada suhu ruang. Kehadiran elemen magnetik Co tidak menghilangkan karakteristik semikonduktif TiO2. Namun, resistansi film bertambah dengan bertambahnya kandungan Co.
Co-Authors Horasdia Saragih Mujamilah Mujamilah Pepen Arifin Ridwan Ridwan