Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2021 - 2026
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal Jurnal Sains Materi Indonesia
Yuyu R. Tayubi
Jurusan Pendidikan Fisika, FPMIPA - Universitas Pendidikan Indonesia Jl.Dr.Setiabudhi 229, Bandung 40154
Materials Science & Nanotechnology

Published : 1 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 1 Documents
Search

 1 
PENGARUH LAJU ALIRAN GAS N2 TERHADAP KARAKTERISTIK KRISTAL FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE SOL-GEL MENGGUNAKAN TEKNIK SPIN COATING Dadi Rusdiana; Yuyu R. Tayubi
Jurnal Sains Materi Indonesia Vol 15, No 2: JANUARI 2014
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (273.157 KB) | DOI: 10.17146/jsmi.2014.15.2.4360

Abstract

PENGARUH LAJU ALIRAN GAS N2 TERHADAP KARAKTERISTIK KRISTAL FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE SOL-GEL MENGGUNAKAN TEKNIK SPIN COATING. Telah ditumbuhkan film tipis GaN di atas substrat silikon (111) dengan metode sol-gel menggunakan teknik spin-coating. Proses penumbuhan film tipis GaN dilakukan pada laju putaran spinner 1000 rpm, suhu penguapan pelarut 100 °C, suhu dekomposisi 400 °C, suhu deposisi 850 °C. Dua buah sampel film tipis GaN telah ditumbuhkan pada laju aliran gas nitrogen sebesar 16 sccm dan 40 sccm dengan molaritas Ga2O3 1,33 M. Film tipis GaN dikarakterisasi struktur kristalnya dengan menggunakan X-Ray Diffractometer (XRD). Hasil karakterisasi film tipis GaN dengan XRD menunjukkan kondisi optimal pada film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan molaritas Ga2O3 1,33 M dan laju aliran gas nitrogen 40 sccm. Film tipis GaN mempunyai struktur heksagonal dengan parameter kisi a = (3,116 ± 0,035)Å dan c = (5,170 ± 0,053)Å.
Co-Authors