Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2020 - 2025
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal Jurnal Fisika Unand
Sinta Maiyeni
Jurusan Fisika, FMIPA, Universitas Andalas
Earth & Planetary Sciences Electrical & Electronics Engineering Energy Materials Science & Nanotechnology Physics

Published : 2 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 2 Documents
Search

 1 
Karakterisasi I-V Semikonduktor CuO Didoping TiO2 sebagai Sensor Gas Hidrogen Sinta Maiyeni; Elvaswer Elvaswer
Jurnal Fisika Unand Vol 6 No 3 (2017)
Publisher : Universitas Andalas

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (456.79 KB) | DOI: 10.25077/jfu.6.3.263-269.2017

Abstract

Telah dilakukan karakterisasi sensor gas hidrogen berupa pelet dengan bahan utama CuO yang didoping dengan TiO2. Pelet sensor gas hidrogen dibuat dengan variasi doping TiO2 0%, 2%, 4%, 6%, 8% dan 10% terhadap bahan utama CuO. Sensor gas hidrogen dibuat dengan metode reaksi keadaan padat. Sensor gas hidrogen diuji pada temperatur ruang dengan melihat karakteristik I-V, sensitivitas, konduktivitas, waktu respon, dan kristalinitas. Karakteristik I-V menunjukkan bahwa sampel dengan doping TiO2 sebanyak 6% mol memiliki sensitivitas tertinggi yaitu 2,80 pada tegangan operasional 9 Volt. Nilai konduktivitas tertinggi dimiliki sampel CuO doping 6% mol TiO2 yaitu 19,65 x 10-5/Ωm pada lingkungan hidrogen. Waktu respon, konduktivitas dan ukuran kristal dari sampel yang memiliki sensitivitas tertinggi akan diukur. Waktu respon sampel CuO didoping 6% mol TiO2 adalah 42 s pada tegangan 9 Volt. Hasil XRD menunjukkan ukuran kristal CuO didoping 6% mol TiO2 yaitu 143,40 nm lebih besar dibandingkan dengan bahan CuO tanpa doping yaitu 128,21. Sensor gas hidrogen telah mampu membedakan kondisi di lingkungan hidrogen dengan kondisi di lingkungan udara, dengan sensitivitas yang tinggi dan waktu respon yang singkat. Sensor yang paling optimal digunakan adalahCuO didoping 6% mol TiO2. Kata kunci : sensor gas hidrogen, CuO, TiO2, sensitivitas, konduktivitas, waktu respon
Karakterisasi I-V Semikonduktor CuO Didoping TiO2 sebagai Sensor Gas Hidrogen Sinta Maiyeni; Elvaswer Elvaswer
Jurnal Fisika Unand Vol 6 No 3 (2017)
Publisher : Universitas Andalas

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.25077/jfu.6.3.263-269.2017

Abstract

Telah dilakukan karakterisasi sensor gas hidrogen berupa pelet dengan bahan utama CuO yang didoping dengan TiO2. Pelet sensor gas hidrogen dibuat dengan variasi doping TiO2 0%, 2%, 4%, 6%, 8% dan 10% terhadap bahan utama CuO. Sensor gas hidrogen dibuat dengan metode reaksi keadaan padat. Sensor gas hidrogen diuji pada temperatur ruang dengan melihat karakteristik I-V, sensitivitas, konduktivitas, waktu respon, dan kristalinitas. Karakteristik I-V menunjukkan bahwa sampel dengan doping TiO2 sebanyak 6% mol memiliki sensitivitas tertinggi yaitu 2,80 pada tegangan operasional 9 Volt. Nilai konduktivitas tertinggi dimiliki sampel CuO doping 6% mol TiO2 yaitu 19,65 x 10-5/Ωm pada lingkungan hidrogen. Waktu respon, konduktivitas dan ukuran kristal dari sampel yang memiliki sensitivitas tertinggi akan diukur. Waktu respon sampel CuO didoping 6% mol TiO2 adalah 42 s pada tegangan 9 Volt. Hasil XRD menunjukkan ukuran kristal CuO didoping 6% mol TiO2 yaitu 143,40 nm lebih besar dibandingkan dengan bahan CuO tanpa doping yaitu 128,21. Sensor gas hidrogen telah mampu membedakan kondisi di lingkungan hidrogen dengan kondisi di lingkungan udara, dengan sensitivitas yang tinggi dan waktu respon yang singkat. Sensor yang paling optimal digunakan adalahCuO didoping 6% mol TiO2. Kata kunci : sensor gas hidrogen, CuO, TiO2, sensitivitas, konduktivitas, waktu respon
Co-Authors Elvaswer Elvaswer