Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2021 - 2026
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal Jurnal Material dan Energi Indonesia
SETIANTO SETIANTO
Departemen Fisika, FMIPA, Universitas Padjadjaran Bandung
Energy Materials Science & Nanotechnology

Published : 1 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 1 Documents
Search

 1 
PEMODELAN DAN SIMULASI AMORPHOUS SILICON QUANTUM DOT (a-SiQD) MENGGUNAKAN METODE EXTENDED HüCKEL THEORY SETIANTO SETIANTO
Jurnal Material dan Energi Indonesia Vol 8, No 02 (2018)
Publisher : Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (369.824 KB) | DOI: 10.24198/jmei.v8i2.20577

Abstract

Quantum Dot adalah bahan nanokristal semikonduktor yang sangat kecil sehingga menyebabkan energi gapnya merupakan fungsi dari ukuran partikel, semakin kecil ukuran partikel menghasilkan energi gap yang semakin besar. Salah satu jenis bahan Quantum Dot adalah amorphous Silicon Quantum Dot (a-SiQD) yang memiliki potensi besar untuk bahan teknologi optoelektronik dan telah dikembangkan secara eksperimen nanostruktur a-SiQD untuk mempelajari efek quantum confinement dan karakteristik emisi cahaya. Pada penelitian ini, dibuat model klaster a-SiQD dengan melakukan teknik translasi untuk memperbesar ukuran dan membuat klaster berbentuk bulat dengan menghapus beberapa atom silikon terluar dan menambahan aton hidrogen. Untuk mendapatkan karakteristik elektronik dan optik klaster a-SiQD, dilakukan perhitungan energi gap menggunakan metode Extended Hückel Theory (EHT). Hasilnya, ketika variasi dot size klaster a-SiQD mengalami penurunan dari 2,1 nm ke 0,85 nm energi gap mengalami peningkatan dari 2,29 – 4,53 eV. Tidak hanya itu, bentuk bulat dan penambahan atom hidrogen juga mempengaruhi besar energi gap klaster a-SiQD. Sehingga rekayasa energi gap klaster a-SiQD dapat tingkatkan dengan mengatur dot size, bentuk dan jumlah atom hidrogen.
Co-Authors